准确率98%!三星全球首秀MRAM磁阻内存内计算

2022-01-13 16:33:18 文章来源:网络
  三星半导体宣布,通过结构创新,实现了基于MRAM(磁阻随机存取存储器)的内存计算,进一步拓展了三星下一代低功耗人工智能芯片技术在传统计算系统中的前沿领域,内存中的数据需要传输到处理芯片的数据计算单元进行处理,这需要很高的带宽和延迟
  内存计算是新的计算模式,也可以称为“存储与计算的集成”。它在内存中同时执行数据存储和数据计算处理,而无需来回移动数据
  同时,内存网络中的数据处理以高度并行的方式执行,因此与其他内存相比,它不仅可以提高性能,还可以大大降低功耗
  ,MRAM磁电阻在运行速度、使用寿命和批量生产方面具有明显优势,功耗远低于传统DRAM。关键是它还具有非易失性特性,即断电时不会丢失数据
  然而,MRAM磁阻存储器很难用于内存计算,由于无法在标准内存计算架构中发挥低功耗的优势
  三星研究团队设计了称为“电阻和”的新内存计算架构,以取代标准的“电流和”架构,并成功开发了一款能够演示内存计算架构的MRAM阵列芯片,名为“用于内存计算的磁阻存储设备交叉阵列”
  该阵列成功解决了单个MRAM设备电阻小的问题,为了降低功耗,实现基于MRAM的内存计算
  三星表示,在进行AI计算时,MRAM内存计算可以实现98%的手写识别成功率和93%的人脸识别准确率。
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