三星分享下一代DDR6-12800、GDDR7与HBM3存储产品规划

2021-11-22 17:27:20 文章来源:网络
  在2021年科技日期间,三星电子透露了许多下一代硬件开发计划。首先,从符合JEDEC规范的ddr5标准内存模块开始,该公司计划在未来推出更高规格的SKU。尽管仍处于开发阶段,许多细节需要进一步确认,但我们可以预期ddr5-6400甚至ddr5-8400等高频模块将出现
  然后是下一代ddr6内存标准,据说其速度是ddr5的两倍。尽管ddr6规范仍处于早期开发阶段,但据techpowerup称,每个内存模块的通道数已从2个升级到4个,银行也已增加到
  除了用于桌面/服务器平台的ddr6芯片外,三星电子还致力于开发低功耗的衍生版本(lpddr6)对于移动平台
  在流程上,公司计划在2022年初让1A nm生产lpddr5内存,所以目前讨论lpddr6还为时过早
  据说ddr6内存的基准速率将达到128800 MT/s,高端超频模块可以达到
  接下来是gddr和HBM图形市场的产品线。预计gddr6+的速率将从18000 MT/s提高到24000 MT/s,再加上1z nm的首选工艺(预计本月开始)
  之后,gddr7视频内存将取代gddr6+,其速率预计将达到32000 MT MT/s,并将新功能命名为将引入“实时错误保护”(可能是某种形式的ECC错误纠正方案)
  最后,这家韩国电子巨头宣布,计划在2022年第二季度批量生产高达800 GB/s的hbm3产品。预计该公司将主要专注于合作伙伴的人工智能等具体解决方案。
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